Kioxia เริ่มส่งตัวอย่าง UFS 5.0: หน่วยความจำแฟลช 1TB ความเร็ว 10.8 GB/s พลิกโฉมอุปกรณ์พกพารุ่นถัดไป

การเปิดตัว UFS 5.0 ครั้งนี้ถือเป็นหมุดหมายสำคัญในอุตสาหกรรมเทคโนโลยี เนื่องจากเป็นมาตรฐานใหม่สำหรับหน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัวที่กำลังอยู่ระหว่างการพัฒนาโดย JEDEC เพื่อตอบสนองความต้องการด้านความเร็วและความจุที่เพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่องของสมาร์ทโฟนและอุปกรณ์พกพาประสิทธิภาพสูงในอนาคต

เทคโนโลยีเบื้องหลัง UFS 5.0 อาศัยการพัฒนาในชั้นกายภาพ (physical layer) ด้วยการใช้ MIPI M-PHY เวอร์ชัน 6.0 และในชั้นโปรโตคอลด้วย UniPro เวอร์ชัน 3.0 โดยเฉพาะโหมด High-Speed Gear 6 (HS-GEAR6) ที่มาพร้อมกับ M-PHY เวอร์ชัน 6.0 นี้เองที่สามารถรองรับความเร็วได้สูงถึง 46.6 Gbps ต่อเลน เมื่อทำงานร่วมกันแบบ 2 เลน จะให้ประสิทธิภาพการอ่าน/เขียนข้อมูลที่น่าทึ่งประมาณ 10.8 GB/s

ความเร็วระดับนี้ไม่เพียงแต่เหนือกว่าหน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัวรุ่นก่อนๆ เท่านั้น แต่ยังแซงหน้า SSD แบบ NVMe ส่วนใหญ่ในตลาดปัจจุบันอีกด้วย ยกเว้นเพียง SSD ที่ใช้ PCIe Gen5 เท่านั้นที่อาจให้ความเร็วสูงกว่า นับเป็นการปูทางไปสู่ประสบการณ์การใช้งานอุปกรณ์พกพาที่รวดเร็ว ลื่นไหล และรองรับแอปพลิเคชันที่ต้องใช้ทรัพยากรสูงได้อย่างเต็มประสิทธิภาพ

คุณสมบัติรายละเอียด
มาตรฐานUFS 5.0 (อยู่ระหว่างพัฒนาโดย JEDEC)
ความจุตัวอย่าง512GB, 1TB
เลเยอร์กายภาพMIPI M-PHY เวอร์ชัน 6.0
เลเยอร์โปรโตคอลUniPro เวอร์ชัน 3.0
โหมดความเร็วสูงสุดHigh-Speed Gear 6 (HS-GEAR6)
ความเร็วต่อเลนสูงสุด46.6 Gbps
ความเร็วอ่าน/เขียน (2 เลน)ประมาณ 10.8 GB/s
กลุ่มเป้าหมายอุปกรณ์พกพารุ่นถัดไป


🏷️ หมวดหมู่: ข่าว, storage, ufs

🔗 อ่านบทความฉบับเต็ม: th.cnx-software